嘿,英特尔和微米:xpoint是相变内存,对吧?还是呢?是的。不。是的

(硫属化物)玻璃房的人不应该扔石头


评论 那么,是xpoint内存相位变化存储器......还是不呢? IM Flash Technologies CO-CEO刚刚发出强大的信号,它可能会发生变化,但疑问仍然是英特尔和微米保留了隐藏的秘密过程成分。

IMFT. 英特尔 / Micron合资企业在犹他州的Lehi制造闪光芯片。 Guy Blalock和Keyvan Esfarjani是合作社。 Esfarjani是英特尔技术和制造集团和IM Flash技术的执行官的VeieV,负责共同领导合资企业。 Blalock代表IMFT房屋的微米侧。

1月12日在 ,加利福尼亚州半月湾的芯片技术和制造贸易展,布莱洛克谈到了 3D xpoint内存,英特尔/微米1000倍 - 比NAND新的非易失性存储器技术设置为通过作为持久存储器旋转服务器和存储。

他的会话摘要说:“3D XPoint专门提供了一种路径,以便以足够的延迟速度提供大量的存储器存储,足以将其靠近CPU。”这与英特尔和微米熄灭的所有信息都在一起。

到目前为止,公司拒绝说XPoint非易失性存储器材料是什么,反复肯定它不是相变存储器,而是它是一个散装变更材料,数字信息(二进制1或0)是通过其阻力水平携带,这受到批量变化可预测的。

相变存储器重新覆盖,是硫属化物(玻璃状)材料,其在施加适量的电力时将其从非晶态的内部状态改变为结晶并再次返回。状态变化具有相关的电阻变化,并且读取电阻水平揭示了电阻水平的二进制值。

许多供应商一直在尝试开发相变存储器产品以逃离NAND缩放陷阱,如果其电池尺寸低于10nm,NAND将可靠地运作。

当英特尔和Micron于去年7月宣布他们的3D XPoint内存时,它听起来很棒:访问比闪存更快1000倍,耐久性的1000倍,光刻的范围缩小,将图层添加到现有的两个,而且成本低于DRAM 。

它令人惊讶的是这座技术世界 数百人小时 试图弄清楚英特尔和微米如何破裂技术挑战,没有其他人则由围绕墙壁博士学位的房间开发的别人延迟议案技术,甚至没有其他延迟的忆耳科技。

因此,有兴趣波兰克的说法,但没有期望他揭示了XPoint材料的性质。然而他做到了。但是得到这个:如报道 ee Blalock表示,“硫属化物材料和Ovonyx开关是这项技术的魔法部分,原有的工作在20世纪60年代开始”。

哦,Micron Man先生真的。让我们回顾:

  • 相变存储器是一种非挥发性的硫族化物材料,其具有具有改变的抗性水平状态的散装变化
  • xpoint不是相变内存,但是
    • 这是非挥发性的
    • 它使用了散装变更效果
    • 散装变化会影响其阻力水平
    • 该材料是一种硫属化物
  • 黑色不是白色,但它拼写了f,o和g。

是不是它是相位变化的内存吗?

3D Guy对EE时报的评论文章说:“与我们的许多人都知道......这个3D xpoint pr,在那里他们试图不作为pcm来获得更多兴趣的人来获得更多兴趣营销团队的典型例子“狂野”。

但它可能是“而不是”营销团队狂野“,或者尝试某种形式的少年欺骗,一个解释[是]他们被赶上了鉴于PC放缓而阐明了英特尔的多样化,现在退出一点,“评论员Ron Neale说。

Jim Handy,半导体分析师在客观分析中表示:“英特尔和微米坚持认为3D XPoint不是相变内存,但它们给出了非常强大的指标,它是同一件事。例如,当被问及启动时,英特尔Al Fazio表示,这是任何新兴内存技术的最成熟,他还说在2011年的介绍中,他还回到了介绍中。“

“我的猜测是,这些公司已经找到了一种使相同的材料以略微不同的方式行事,”他继续。 “硫属化物眼镜是诸如氧气空位和银树枝状的许多新出现的内存技术的基础,因此它们不一定必须使用相变机制来实现位存储。”

这一点吗?

“从长远来看,这个论点对任何没有制作芯片的人很重要。最重要的是,我们的3D xpoint报告的重点是什么,是英特尔在内存层次结构中创建新图层,以及它派上友好地说,对计算和DRAM市场有严重影响。

如果它像鸭子一样走,像鸭子一样嘎嘎,像鸭子一样游泳,像鸭子一样吃,然后它仍然可能不是一个疯狂的鸭子。 aarghh。 ®

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